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敢于創(chuàng)新，穩(wěn)中求進(jìn)

Dare to innovate, seek improvement in stability

錦州博達(dá)金屬新材料有限公司，成立于2015年，由自然人股東獨(dú)資組建，注冊(cè)資金2000萬(wàn)元人民幣。坐落于錦州市義縣頭臺(tái)鎮(zhèn)三臺(tái)村工業(yè)園，是一家稀有...

Jinzhou Boda Metal New Material Co., Ltd., established in 2015, is solely invested by natural person shareholders with a registered capital of 20 million yuan. Located in Santai Village Industrial Park, Toutai Town, Yixian County, Jinzhou City, it is a rare...

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海綿鋯 Sponge zirconium

海綿鉿 Sponge hafnium

鋯合金 Zirconium alloy

新聞資訊

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海綿鉿的定義

海綿鉿是一種稀有金屬材料。用途：用于原子能工業(yè)和宇航工業(yè)。用做原子能反應(yīng)堆的控制棒材料，可做體積小而能量大的火箭推進(jìn)器。物理狀態(tài)：鉿與鋯外觀(guān)相同，性質(zhì)極其相近，主要區(qū)別在于核性質(zhì)有很大不同，如鋯的熱中子捕獲截面比鉿小幾百倍。交貨粒度要求3—25毫米，小于3毫米的物料不超過(guò)5%。包裝：用干凈的塑料或人造革袋封口包裝，每袋凈重2—5公斤，置于密封的鍍鋅鐵桶中，每桶凈重不大于20公斤，每桶附上批號(hào)。桶至于木箱內(nèi)，箱外注有“防潮輕放”字樣[1]?。海綿鉿

2022-11-25

海綿鋯用途

海綿鋯熔點(diǎn)1852 副點(diǎn)、副點(diǎn)、沸點(diǎn)4377密度6.49。鋯容易吸收氫、氮和氧氣；鋯對(duì)氧的親和力很強(qiáng)，1000℃氧氣溶于鋯中能使其體積顯著增加。鋯在空氣中比較穩(wěn)定；粉末狀的鋯容易燃燒，細(xì)的鋯絲可用火柴點(diǎn)燃，高溫時(shí)能與溶入的氧、氮、氫直接化合。規(guī)格：3-25mm 用途：航空航天，軍工，核反應(yīng)，原子能，及金屬超硬材料添加，制造防彈合金鋼，還可做反應(yīng)堆中鈾燃料的包覆合金；鋯在高溫時(shí)易發(fā)射電子產(chǎn)品特性：金屬鋯有非常強(qiáng)的抗腐蝕性，超高的硬度與強(qiáng)度

2022-11-05

鉿的應(yīng)用領(lǐng)域

由于鉿容易發(fā)射電子而很有用處（如用作白熾燈的燈絲）。用作X射線(xiàn)管的陰極，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作X射線(xiàn)的陰極和鎢絲制造工業(yè)。純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕，是原子能工業(yè)重要材料。鉿的熱中子捕獲截面大，是較理想的中子吸收體，可作原子反應(yīng)堆的控制棒和保護(hù)裝置。鉿粉可作火箭的推進(jìn)器。在電器工業(yè)上可制造X射線(xiàn)管的陰極。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器的前沿保護(hù)層，Hf-Ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素，例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。HfC由于硬度和熔點(diǎn)高，可作硬質(zhì)合金添加劑。4TaCHfC的熔點(diǎn)約為4215℃，為已知的熔點(diǎn)較高的化合物。鉿可作為很多充氣系統(tǒng)的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統(tǒng)中存在的氧、氮等不需要?dú)怏w。鉿常作為液壓油的一種添加劑，防止在高危作業(yè)時(shí)候液壓油的揮發(fā)，具有很強(qiáng)的抗揮發(fā)性，這個(gè)特性的話(huà)，所以一般用于工業(yè)液壓油。醫(yī)學(xué)液壓油。鉿元素也用于較新的intel45納米處理器。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能，處理器廠(chǎng)商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質(zhì)的材料。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅柵極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米，相當(dāng)于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和散熱難度亦會(huì)同時(shí)增加，產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能，因此若繼續(xù)采用時(shí)下材料，進(jìn)一步減少厚度，柵極電介質(zhì)的漏電情況勢(shì)將會(huì)明顯攀升，令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問(wèn)題，英特爾正規(guī)劃改用較厚的高K材料（鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì)）作為柵極電介質(zhì)，取代二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上。另與上一代65納米技術(shù)相較，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積，此外，晶體管開(kāi)關(guān)動(dòng)作所需電力更低，耗電量減少近30%，內(nèi)部連接線(xiàn) (interconnects) 采用銅線(xiàn)搭配低k電介質(zhì)，順利提升效能并降低耗電量，開(kāi)關(guān)動(dòng)作速度約加快 20%。

2022-11-05

鉿的制備方法

1、可由鎂還原四氯化鉿或熱分解四碘化鉿制取。也可以HfCl4和K2HfF6為原料。在NaCl-KCl-HfCl4或K2HfF6熔體中電解制取，其工藝過(guò)程與鋯的電解制取相近。 2、鉿多與鋯共存，沒(méi)有單獨(dú)存在的鉿原料。鉿的制造原料是在制造鋯的工藝流程中分離出來(lái)的粗氧化鉿。用離子交換樹(shù)脂的方法提取氧化鉿，隨后利用與鋯相同的方法從這種氧化鉿中制取金屬鉿。 3、可由四氯化鉿（HfCl4）與鈉共熱經(jīng)還原而制得。 4、較早分離鋯、鉿的方法是含氟絡(luò)鹽的分級(jí)結(jié)晶和磷酸鹽的分級(jí)沉淀。這些方法操作麻煩，限于實(shí)驗(yàn)室使用。陸續(xù)出現(xiàn)了分級(jí)蒸餾、溶劑萃取、離子交換和分級(jí)吸附等分離鋯、鉿的新技術(shù)，其中以溶劑萃取法較有實(shí)用價(jià)值。常用的兩種分離體系是硫氰酸鹽－異己酮體系和磷酸三丁酯－硝酸體系。以上方法所得產(chǎn)品都是氫氧化鉿，通過(guò)煅燒可得純的氧化鉿。高純度的鉿可以用離子交換法取得。工業(yè)上，金屬鉿的生產(chǎn)常常并用克羅爾法和德博爾-阿克爾法?？肆_爾法是用金屬鎂還原四氯化鉿： 2Mg+HfCl4─→2MgCl2+Hf 德博爾－阿克爾法即碘化法，用此法提純海綿狀鉿，得到可延展的金屬鉿。

2022-04-13

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